賽晶科技IGBT生產線進入試生產階段

    本報記者 張敏

    芯片缺貨成為當下市場關注的熱點，相關產業(yè)鏈的上市公司正在加速布局。

    6月25日，在PSiC2021第四屆中國國際新能源汽車功率半導體關鍵技術論壇上，賽晶科技集團有限公司（以下簡稱：賽晶科技）正式發(fā)布了下一代車載單面冷卻IGBT模塊——EV-Type模塊。這是專門針對電動汽車應用需求而設計的新型模塊產品。

    賽晶科技董事長項頡表示，新能源汽車是全球各國家競相研發(fā)的新興產業(yè)，是推動經濟發(fā)展方向轉變，促進經濟增長的戰(zhàn)略需要。賽晶最新研發(fā)針對電動汽車領域的單面冷卻IGBT模塊，應用了目前國際上最新的芯片和模塊設計理念，具有極高的緊湊性設計，同時也完全適用于碳化硅芯片。未來將與廣大車企攜手合作，在未來電動車碳化硅模塊領域，形成中國標準。

    據(jù)記者了解，目前中國大陸處于功率半導體器件供應鏈的相對末端，產品以二極管、晶閘管、低壓MOSFET等低功率半導體器件為主，中高端功率MOSFET和IGBT自給率不足10%，而功率半導體是未來可預見的自主可控進度最快的細分領域之一。IGBT對新能源汽車、軌道交通、智能電網(wǎng)、節(jié)能環(huán)保等眾多國家戰(zhàn)略性新興產業(yè)的發(fā)展，具有重要意義。國家“十四五”規(guī)劃，也將IGBT列為了亟待攻關的科技前沿領域之一。IGBT是新型電力電子器件，被稱為電力電子的“CPU”。

    賽晶科技旗下子公司賽晶亞太半導體科技（浙江）有限公司于6月23日舉行了絕緣柵雙極晶體管（IGBT）生產線竣工投產儀式。這標志著公司IGBT生產線進入試生產階段。

    賽晶科技董事長項頡向記者介紹，賽晶亞太半導體IGBT生產線的正式投產，對賽晶布局功率半導體器件產業(yè)以及未來發(fā)展具有戰(zhàn)略性意義。項目總投資52.5億元，一期投資17.5億元，一期占地2.2萬多平米，建設2條IGBT芯片背面工藝生產線、5條IGBT模塊封裝測試生產線，年產能達200萬件高品質IGBT模塊產品。

    賽晶科技表示，IGBT生產線的投產有助于提高公司的市場競爭力，對未來的經營業(yè)績帶來積極影響。由于生產線從投產到達產尚需一定時間，預期產能的釋放需要過程。同時，短期內還有固定成本增加的壓力。

    “公司會加快IGBT系列產品的研發(fā)、推進后續(xù)生產線的建設，力爭盡早讓公司的IGBT出現(xiàn)在千千萬萬的電動汽車、風力發(fā)電、光伏發(fā)電、工業(yè)變頻設備中。”項頡表示。

（編輯 崔漫）